Pirms tiek ieviestas ROM pastāvīgās atmiņas funkcijas. tipi rom

Pastāvīgi iegaumēti pielikumi (ROM) apzīmējumi pastāvīgai, no enerģijas neatkarīgai informācijas vākšanai.

Es pierakstīšu ceļu ROM klasificē uzbrukuma pakāpi:

1. vienreizēji ieprogrammēts ar masku uzņēmumā-virobņikā;
2. vienreizēji ieprogrammēts ar speciāliem pielikumiem, saukts programmētājiem - EPROM ;
3. pārprogrammēts vai pārprogrammēts ROM - RPZU.

maskas ROM

programma maskas ROM jāskata BIS iegūšanas procesā. Zvaniet uz ceļveža kristālu no visu saraksta zapam'yatovoyt elements (WE) Un tad pēdējās tehnoloģiskajās operācijās aiz papildu fotomaskas tiek realizēta sakaru bumba ar saiti starp adreses līnijām, datiem un elementa atmiņu. Viss raksts (maska) tiks parādīts atbilstoši aizstājēja pozīcijai uz kartēm. atšifrējums daudzas iespējas kartes tiek lūgtas vadīties pēc tehniskajiem prātiem uz ІМС ROM... tātad ROM Tie ir izgatavoti, pamatojoties uz diožu matricām, bipolāriem vai MOS tranzistoriem.

Masochny ROM, pamatojoties uz diodes matricu

tāda shēma ROM ir parādīts attēlā. 12.1. šeit horizontālās līnijas- adrese, un vertikāle - līniju mērķi, no tiem šajā tipā ir zināmi 8 ciparu dubultskaitļi. Dotajā ZE shēmā tse ir skaidrāka adreses līnijai un danikh līnijai. Visas ZE rindas vibrācija tiek veikta, kad adreses rindai tiek piemērota loģiskā nulle LA i no dekodera izejas. Loģiskais 0 tiks ierakstīts ZE aizmugurē, ja diode būs redzama pārejas līnijā D es i LA i, piedevām, lantsyug paklups visā vipad: + 5 V, diode, piezemēties uz adreses līnijas. Tātad, ņemot vērā ROM adresējot 11 2 adreses rindā parādās aktīva nulles signāls LA 3, jaunā loģikas līmenī 0, uz riepām danih D 7 D 0 rādīt info 01100011 2.

MOSFET ROM, pamatojoties uz MOSFET matricu

Šī ROM attēlojuma shematiskās diagrammas pielietojums attēlā. 12.2. Informācijas ieraksts par savienojumu ar atvienoto MOS tranzistoru pieslēgtajos BIS punktos. Kad vispārējā adreses rindā atlasāt dziedāšanas adresi LA i ir aktīvs signāls ar loģisko 1, lai potenciāls būtu tuvu sprieguma padeves potenciālam + 5 V. Loģiski, ka 1 tiek padots uz visu tranzistoru rindu un atvērto rindu vārtiem. Tāpat kā metalizācijas tranzistora nūja, pamatojoties uz D i ir potenciāls tuvu 0,2 0,3 V, lai tas būtu vienāds ar loģisko 0. Tāpat tranzistora nūja NAV metalizēta, lance nav realizēta, uz balsta R i nebūs stresa, tāpēc ka punktā D i būs potenciāls +5 V, lai tas būtu loģiski 1. Piemēram, kā parādīts att. 12.2 ROM adreses kodā 01 2, adreses rindā LA 1 būs aktīvs riven 1, un uz riepām danih D 3 D 0, ja kods ir 0010 2.

Masochny ROM, kuras pamatā ir bipolāru tranzistoru matrica

Shēmas pielietojums ROM attēlojumi attēlā. 12.3. Informācijas ierakstīšana ir pieejama arī faila metalizācijai vai nemetalizācijai starp bāzi un adreses līniju. Rindas vibratoram ЗЕ adreses rindā LA i padeve ir loģiska 1. Uzliekot metālu uz tranzistora pamatnes, tiek parādīts, ka pastāv potenciāla atšķirība starp emitētāju (zemi) un bāzi (apmēram + 5 V). Kad tsomu zamikaєatsya lantsyug: + 5 V; opir R i; ieslēdziet tranzistoru, iezemējiet tranzistora emitētāju. Punktā D i pie noteikta potenciāla atvērtā tranzistora sprieguma kritums ir tuvu 0,4 V, tāpēc tas ir loģiski 0. Tādējādi ZE ieraksti ir nulle. Yakshcho dilyanka mіzh lіnієyu adrese un tranzistora bāze NAV metalizēta, tā ir elektriskā lance nav ieviests, krītošas ​​atsperes uz balstiem R es esmu stulbs, vispārīgi runājot par to D i būs potenciāls +5 V, lai būtu loģiski 1. Piebarojot, piemēram, adrese 00 2 ir norādīta uz att. 12.3 ROM SD 2 tiek parādīts kods 10.

uzvilkt maskas ROM virzot kursoru virs att. 12.4, un tabulā. 12.1 - їх parametri.

ieprogrammēts ROM

ieprogrammēts ROM (EPROM) Tās ir arī viena tranzistora matrica, kā arī maskas ROM un dažas citas ZE versijas. zapam'yatovoy elements EPROM attēlā parādīts. 12.5. Piekļuve jaunam tiks garantēta, adreses rindā iesniedzot loģisku 0 LA i. Ieraksts jaunā vibrācijā drošinātāju saišu PV nokrišņu (kušanas) rezultātā bipolāri tranzistori, MOSFET notekas. Peldošais ieliktnis PV є ir neliels metalizācijas apjoms, kas sagrauj (kūst), programmējot 50 100 straumes impulsus Visi mikroampēri un trivialitāte ir tuvu 2 milisekundēm. Ja ievietojums ir saglabāts, tad ZE ieraksti ir loģiski 0, fragmenti tiek realizēti ar lanceti mіzh dzherel zhivlennya i earth on LA i caur diodi (tranzistoru matricās - caur led tranzistoru). Tiklīdz ieliktnis ir noapaļots, norādītā ķēde netiek ierakstīta CU un tiek ierakstīts loģiskais 1.

Pastāvīgi iegaumēti pielikumi(ROM) līdzekļi informācijas vākšanai, piemēram, tabula, programma, vai tās būtu konstantes. Informācija PZP tiek saglabāta, kad ir savienoti tiešraides dati, tas ir, ROM є ar neatkarīgām atmiņas mikroshēmām un apstrādi tikai informācijas nolasīšanas režīmā.

Informācijas ievadīšanas metode ROM (programmatūra) ir sadalīta 3 grupās:

§ Kad to ir ieprogrammējis virobņiks, maskēts(Aizstāj) īsam ROM, bet buržuāziskajam ROM.

§ Tas ir tikai vienu reizi ieprogrammēts ar koristokiem (izmantojiet metodi, nomainot kausējamo džemperi uz kristāla) vai PROM, bet saskaņā ar buržuāzisko PROM.

§ Bagatorazovo programmēts ar corystuvach (pārprogrammējams) vai EPROM. Jaku un buržuāziskie EPROM.

Vienreiz ieprogrammētajā ROM nomainiet atmiņas elementu, tāpat kā RAM, ievietojiet džemperi starp riepām pie draiveru, diožu, tranzistoru skatītājiem. Pārejas žurnāla atpazīšana. 1, її відсутніст - žurnāls. 0 par navpaki. Šādu ROM programmēšanas process, lai pārkārtotu nevajadzīgos slēdžus, un tajā pašā ROM šāda veida programmēšana ir iespējama.

pārprogrammējams ROM

Pārprogrammējamo ROM var iedalīt divās klasēs:

§ Ierakstīšanas un dzēšanas režīmā ar elektrisko signālu.

§ Ar ierakstīšanas režīmu ar elektrisko signālu un dzēšot ultravioleto vipromyuvannyam.

RPZU mikroshēmas nodrošina bagatoraz programmas iespēju (no simtiem līdz tūkstošiem ciklu).

Atmiņas elements RPZU є polova tranzistors ar MOSF vai MOS struktūru ar peldošiem vārtiem vai LIZMOS - MOS tranzistoru ar lavīnas iesmidzināšanas lādiņu. Tranzistors tiek ievadīts programmā un ēka tiek ierakstīta elektriskais lādiņš pirms slēģu un aizņem daudz tūkstošiem gadu bez piepūles ražas novākšanu. Lai pārprogrammētu ROM, vispirms ir jāizdzēš iepriekš ierakstītā informācija. RPZU uz MNOS tranzistoriem dzēšanu vibrē elektrisks signāls, jo palielinās lādiņa uzkrāšanās pie vārtiem. RPZU uz LIZMOS tranzistoriem ierakstītās informācijas dzēšana tiek parādīta, pamatojoties uz ultravioleto (UV) vipromyuvannya, kā uzlabots kristāls caur īpašu logu mikroshēmas gadījumā.

EPROM ar UV dzēsumiem var būt vairāki trūkumi; Tātad, piemēram, lai dzēstu UV informāciju, ir nepieciešams noņemt mikroshēmu no kontaktu stiprinājumiem (paneļiem), kas netiek izsaukts manuāli. Līdz tam tika uzskatīts, ka korpusa loga redzamība ir RPZU mikroshēmas jutīgums līdz tādam līmenim, ka tas uzlaboja informācijas dzēšanas efektivitāti. Šis pārprogrammēšanas ciklu skaits ir tikai desmitiem tūkstošu, ja RPZU elektriskais signāls ir izdzēsts pat 10 000.

Atmiņas elementi ROM (RPZU).

Galvenais, lai to izdarītu, ir saglabāt informāciju ar iekļauto harchuvanny. Viena tranzistora ZYa shēma bipolārajam ROM ir viegli saprotama.

Pie tranzistora iekšējās lances tiek pārnesta džempera (P) kušana, ko nepieciešamajos apstākļos var izmantot sākotnējās programmēšanas laikā.

Maršrutējot uz WZ, izmantojot adreses līniju, laikā, kad RL nav maršrutēts džemperis, tranzistora strāva būs pretēja. Vienā zonētā džemperī strāva neizsīks.

ROM atmiņas elementu var parādīt MOS tranzistoros. Tomēr bipolārajiem ROM var būt lielāks liels ātrums (darba stunda 20 ... 60 ns), ale un liels izkliedētais spiediens, mazāks ROM uz MOS tranzistoriem (darba stunda 200 ... 600 ns).

Pārprogrammējams ROM dāņu stundā divu veidu vikonuyutsya. Pirmā tipa RPZU atmiņas elementu matrica ir veidota līdzīgi kā uz MOS tranzistoriem balstīto ROM matrica, bet dažos no tiem tie ir metāla vārti un nešķīstošā oksīda lodīte tiek veidota ar plānu bumbiņu pret silīciju ( MOSFET). Silīcija nitrīds uzkrājas un aizņem niecīgu stundu (līdz 10 raķetēm un vairāk) elektrisko lādiņu. V vālīšu dzirnavas tranzistors var paaugstināties līdz augstam spriegumam (10 ... 15) V, jo tas samazinās līdz darba vērtībām, kad bumba tiek uzlādēta ar silīcija nitrīdu. Lai uzlādētu lodi ar silīcija nitrīdu, MNOS tranzistora vārtiem tiek piegādāts augstsprieguma programmas impulss, amplitūdai uzlīmē mainās darba spriegums (15 ... 20) V. tranzistors. Šādā rangā lādiņa izpausme jārada līdz EP zbergaє 0 un tā redzamība - 1.

Lai izdzēstu ierakstīto informāciju, lai tā būtu redzama lodītes apraktajam silīcija nitrīda lādiņam, MNOP tranzistora vārtiem, ierakstot polaritāti, jāpiegādā impulss, kas nav pietiekami spēcīgs.

EP RPZU Іnshі opcijas ir balstītas uz MNOS tranzistoriem ar peldošiem (izolovanim) vārtiem. Augstsprieguma padeve starp cilpu un dakts noteci tiek uzkrāta peldošā slēģu lādiņā, kas atver vadošo kanālu starp noteci un cilpu. Informācijas dzēšana ir noderīga, lai optimizētu tranzistorus, izmantojot kvarca kristāla ultravioleto ierīci, jo tā izkrauj tranzistoru vārtus un pārvērš tos nevadošā dzirnaviņā.

Informācijas dzēšana šādā veidā rada vairākas acīmredzamas nepilnības, piemēram, tās, kas redzamas elektriskās dzēšanas laikā. Pārējam tranzistoram tiek parādīts cits atslēgas aizvars. Tomēr zvazhayuchi uz liela laukuma EP, mikroshēmas RPZU ar elektrisko dzēšanu var būt 2 ... 4 reizes mazākas іnіmіmіst, Zemas mikroshēmas ar ultravioletās gaismas dzēšanu.

barība

analogās shēmas

Ciparu ciparu tehnoloģiju pieejamībai nav nozīmes, jo vairākos veidos notiek racionāls matemātisku aprēķinu darbs ar analogajiem signāliem analogajā skatā. Īpaši atlikušajā skatītājā ir jālabo skatītāja rezultāts analogais signāls... Skaitliskais pristіy plašā diapazonā vyhodіyuchiy, pamatojoties uz vienkāršāku digitālo un pamatojoties uz liela mēroga. Analogajā skatījumā ir iespējamas visas aritmētiskās pamatoperācijas, logaritma un antoloģijas darbības, līniju sistēmu diferencēšana un integrācija un attīstība. Diferenciālie ekvivalenti... Pirms tam, parādoties digitālo skaitļošanas pielikumiem, zinātniskajā literatūrā plaši tika izmantotas analogās skaitļošanas mašīnas. Tagad ir pagājusi stunda, bet, parādoties konkrētai elektronikai, viss joprojām ir iespējams pēc kārtas ar analogu aprēķina metožu panākumiem. Kļūda, veicot aprēķinus analogajā skatītājā, nemainās par 1%, un rezultāts ir aptuveni 1 mikrosekunde stundā. Ja es vēlos, lai precizitāte tiktu mainīta ātrāk, to nav iespējams aprēķināt, izmantojot digitālās metodes, bet jūs joprojām varat to uzskatīt par pieņemamu. Sākot ar analogajiem korpusiem shvidkodії obnuchalnі pielikumiem var izmantot pirms digitālā.

pisiluval kaskāde

Tajā pašā laikā nulles novirzes izmaiņas vienmērīgas plūsmas virzienā var sasniegt ārpus papildu shēmas, kā tas tiek realizēts diferenciālā pastiprinātāja stadijā. Jogas pamatā ir nelīdzsvarota tilta princips. Šķietami tilta līdzsvars (div. 2.15. att.) tiek saglabāts, kad tas mainās, tas tiek atvests uz jaunu atsperi, tāpēc mainot rezistoru balstu, ja tā padomā.

Tilta jauda tiek dota, lai mainītu iztikas nestabilitātes pieplūdumu un ķēdes elementu parametru izmaiņas uz ieejas signāla stiprināšanas procesu.

2.16. attēlā parādīta diagramma, kas izskaidro robotizētās diferenciālās pidsiluviālās kaskādes principu. Shēma tiek glabāta divās daļās: brukivtsi un dzherel stabilu strumu, kas tiek prezentēta viglyad dzherel strumu I. e... Ķēdes brukіvtsі daļā divas tilta sviras ir izveidotas ar rezistori R і R (analogi rezistoru R і R shēmām 2.15. att.), un divi ar tranzistori T un T (analogi rezistoru R un R ķēdēm 2.15. attēlā). 2.15). Ir svarīgi zināt par tranzistoru kolektoriem, tas ir, no tilta diagonāles. Ļoti dārgi ir līdz nullei ar tilta līdzsvaru, ko var sasniegt ar vienādu tranzistoru T un T parametru robotiem vienādos režīmos, kā arī vienādiem rezistoru R un R balstiem. kad robotu procesā tiek nobīdīta temperatūra, tie paši parametri samazināsies 2.1. ) apmeklēt. Par parametru identitāti dažādos shēmas daļas struktūras elementos parūpēsies integrēto mikroshēmu sagatavošanas tehnoloģija, līdz pat kuru noliktavai ietilpst diferenciālās kaskādes.

Mazs. 2.15. Četru roku figūras diagramma 2.16. Apakšzilbes kaskādes diferenciālā tilta diagramma

barība

Operatīvā posiluvach- vesela elektroniska podsilyuvach naprugi ar augstu spēka efektivitāti, tāpēc ir atšķirība starp ievadi un vienu izvadi. Stresu pie ieejas var pārņemt pieaugums pie ieejām simtiem vai tūkstošiem reižu.

Apzīmēts diagrammā

Projektēšanu dzīvīguma nodrošināšanai (V S + і V S-) var sākt citādi. Izstrādes brīdī nesvarīgi, tā funkcija ir zaudēt vienam un tam pašam - nodrošināt, lai signālam netiktu nodrošināta papildu enerģija.

1) pievienot un parādīt OS pielikumus

2) Vimіryuvalnі pіdsiljuvachі uz OS

3) Integrators

4) diferenciators

barība

OA statiskie parametri:

Stiprības koeficients KD... Є galvenais op-amp parametrs vienmērīgā zemā frekvencē. Vіn viznachate vіdnoshennya vyhіdії celmi U savā OS bez OS dīkstāves režīmā uz diferenciāli (diferenciāli). Uin.d = Uin1 — Uin.

Op-amp pārsūtīšanas raksturlielums saskaņā ar post-strum - pastāvīgā vērtība

izejošs traucējums U pārsolīts no pēcizejošā diferenciālā signāla Uin.

Kopējā režīma vājinājuma koeficients K lapsene sf = K D / K s. Vizuāli, ja nodokļus par pārkāpumu var ienākt tā paša naprugi OU, parūpējoties par nulles vērtību

U iekšā. e. Vykhidna izsmidzināšana var būt arī vienāda ar nulli.

ievade opir. Op-amp cena atbilstoši signālam pirms ieejas signāla.

Darbības opyr ( R utt. ar)... Sāciet jaku draugam

gogo pidsilyuvacha.

Minimālā opcija opcijām ( R H min)... Jogo nozīme sākas ar robežu uz āru pie nomināla ārējā spiediena.

Ienāc sprinta zsuvu ( U iekšā. cm)... viznacha post_yna napruga, Jake pārslīdēja uz OS ieeju, izplūdes izvade kļuva vienāda ar nulli. Viss operētājsistēmas pastiprinātāja ieejas diferenciālā posma līdzsvara un asimetrijas parametrs.

Ienākošā kompensācijas summa ( es iekšā. cm)... OU divu ievades virkņu aritmētiskā vidējā vērtība, ja ievades plūsmas ir vienādas ar nulli, t.i., E. es iekšā. cm = ( es in1+ es in2) / 2.

Ievades straumju izguve (Δ es in = es in1 - es in2)... Absolūti būtiskas atšķirības divu OS ieeju struktūrās avārijas situācijās cena, kas ir nulle. Tsey parametrs, vairāk U in.cm, arī pasaules izpratnē raksturo op-amp izejas pakāpju asimetrijas vērtību.

Siksnas dsuvu temperatūras novirze Δ U iekšā. cm / Δ tі atšķirības ievades plūsmās Δ es in / Δ t . Temperatūras novirze ir saistīta ar viena no parametra izmaiņām, vidējā diapazona temperatūras izmaiņām par 1 ° C.

Nestabilitātes plūsmas koeficients Dzherela napruga Kharchuvannya K ak. NS... Cena par satikšanos ar čūsku pārvērš zsuvu par viena dedzīga gara ļauno čūsku U NS.

Specifikācijas:

Amplitūdas-frekvences un fāzes-frekvences raksturlielumi. darbojas

ni pdsiluvachi, kas var būt trīspakāpju struktūra nelielam signālam,

ir amplitūdas-frekvences raksturlielums (AFC) ar trim poliem.

OU raksturlielums ir mainīts. OU raksturlielums ir mainīts

ļaujot neliela signāla režīmā, jo

impulsa signāls, ieskaitot izejas signāla pieauguma stundu, kad

injicēts vienā noplūdē pie vadītāja ieejām.

Ļaunprātības augšanas ātrums V U= Δ U ar / Δ t .

neinvertējošais draiveris

Neinvertējošo ieejas signālu raksturo laiks, kad ievades signāls nonāk pie neinvertējošā draivera ieejas. Diagramma ir dota zemāk.

Neinvertējošās barošanas avota iekļaušanas shēma.

Šīs shēmas robots ir izskaidrojams ar uzbrukuma pakāpi, pamatojoties uz ideālās OS īpašībām. Signālam jānonāk draiverim ar nepārtrauktu ieejas atbalstu, un signālam uz neinvertējošu ieeju var būt arī nozīme, piemēram, ieejā, kas ir invertēta. Strum pie darba piedziņas izejas tiek ieslēgts rezistoru R2 tādā pašā līmenī kā ieeja.

Šajā rangā šīs shēmas galvenie parametri ir aprakstīti ofensīvā

Ir iespējams izveidot priekšnesumu neinvertējoša draivera veiktspējai

Šādā rangā ir iespējams izveidot komplektu, lai veiktspējas stiprumam tiktu pievienoti tikai nominālie pasīvie komponenti.

Jāņem vērā īpaša problēma, ja rezistors R2 ir lielāks par R1 (R2 >> R1), tad efektivitāte būs jaudīgāka par vienu. Tajā pašā laikā neinvertējošā piedziņas ķēde tiek pārveidota par analogo buferi vai darbības atkārtojumu ar vienu pārraides efektivitāti, pat lielisku ievades atbalstu un praktiski nulles izvades atbalstu. Es nodrošināšu efektīvu savienojumu ar ieeju un izeju.

apgriežot pidsiluvach

Invertējamo barošanas avotu raksturo neinvertējoša ieeja darba barošanas avotam ar zemējumu (lai izveidotu savienojumu ar barošanas avotu). Ideālā operētājsistēmā atšķirība starp draivera ievadiem ir nulle. Toms Lantsjugs zvana zvans Es esmu vainīgs, ka nav problēmu pie ieejām. Invertējošā draivera ķēde ir parādīta zemāk

Apgriežot PIDSILYUVACH ķēdi.

Shēmas robots tiks skaidrots ar uzbrukuma pakāpi. Strums iet caur apgriezto spraudni ideālajā op-amp līdz nullei, tātad strum iet caur rezistoru R1 un R2 gan tieši, gan tieši, tāpēc tas galvenokārt ir savienots ar matime.

Todi efektivitāte dotā shēma būs gatava

Mīnusa zīme tsiy formulā attiecas uz tiem, kur signāls ķēdes izejās tiek apgriezts atbilstoši izvadei ieejas signālam.

integrators

Integrators ļauj realizēt ķēdi proporcionāli ieejas signālam. Vienkāršākā op-amp integratora diagramma ir parādīta zemāk

Integrators darbības atbalstam.

Ir dota shēma integrācijas operācijas īstenošanai pār ieejas signālu. Es jau apskatīju integrācijas shēmas jauni signāli ar integrēto RC un RL lanceru palīdzību. Integrators realizē analogas izmaiņas ieejas signālam, aizsargā vairākas izmaiņas proporcionāli integrētajām lancetēm. Pirmkārt, RC un RL lance nozīmē ieejas signāla vājināšanu, bet citiem vārdiem sakot, tas ir ļoti augsts izejas signāls.

Šādā rangā integratora galvenais dizains ir analogs integrētajām RC un RL laternām, un izvade atrodas noliktavā

Integrētāji zināja plašākas uzglabāšanas iespējas analogajās saimniecības ēkās, piemēram, aktīvos filtrus un automātiskās vadības sistēmas

diferenciators

Diferenciators savā veidā ir integratora robota prototips, lai izejas signāls būtu proporcionāls ieejas signāla ātrumam. Vienkāršākā diferenciatora diagramma ir parādīta zemāk.

Darbības barošanas avota diferenciators.

Diferenciators realizē diferenciācijas darbību pār ieejas signālu un analogo diferenciāciju RC un RL lanciuzhkiv, izņemot to saīsināt parametrus dažos gadījumos ar RC un RL atlokiem: praksē es nenovājināšu ieejas signālu ar ievērojami mazāku izejas atbalstu. Attiecību un reakcijas uz diferenciālajiem impulsiem pamata attīstība ir līdzīga diferencējošās lances attīstībai.

Vyhіdna noliktavā

Vai elektronika ir salokāms stiprinājums, šādu nullīšu darbības princips ir tālu no ādas dzīvesvietas. Arī ROM un kas nepieciešams Danijs Pristiy? Lielāko daļu kanēļa standziņu šogad pārtikas cenā nevar redzēt. Mēģināsim labot situāciju.

Vai tas ir ROM?

Chim є ROM un de smirdēt var vikoristovuvatisya. Pastāvīgi saglabātā atmiņa ir tā sauktā neatkarīgā atmiņa. Tīri tehniski dati ieviešanas pievienošanai mikroshēmu veidā. Tūlīt mēs zinājām, kā atšifrēt ROM saīsinājumu. Šādas mikroshēmas ievadītās informācijas aizsardzībai, kā arī programmu izveide... ROM ir iespējams uzzināt visu veidu dokumentus līdz pat attēliem. Informācija par mikroshēmas datumu tiek saglabāta vairāku mēnešu laikā vai lai redzētu akmeni.

Izkritis no vikoristu pielikuma, atmiņa var mainīties no kilkoh kilobite uz vienkāršas saimniecības ēkas, Varu izmantot tikai vienu silīcija kristālu, līdz terabaitiem. Turklāt labāk ir atcerēties ēku, un ir vairāk iespēju no tās atbrīvoties. Obsyag mikroshēma ir tieši proporcionāla piezīmju skaitam. Tiklīdz jūs mēģināt iegūt vairāk informācijas par pārtiku, kas ir ROM, jūs varat teikt nākamo soli: informācijas nav, jo tā nav pastāvīga stresa.

Vikoristaņja cietie diski jaku rom

No tā paša laika mēs jau esam snieguši skatījumu uz ēdienu, kas ir ROM. Tagad parunāsim par tiem, kurus var izmantot kā ROM. Galvenokārt prіtіy jebkurā datorā - tse cietais disks... Ziemassvētku smaka є ādā datorā. Dānijas stihija uzvar par plašām iespējām uzkrāt cieņu. Tajā pašā laikā ir arī vairāki ROM, kurus var izmantot multipleksorijā. Ir ļoti daudz īpašu mikrokontrolleru, uztvērēju un elektronisku mehānismu. Sīkāk pārbaudot, ir ne tikai jāsaprot ROM saīsinājuma lielums. Šobs iedziļināties tēmā, ir nepieciešama šo terminu atšifrēšana.

ROM atjaunināšana un paplašināšana zibatmiņas tehnoloģiju palaišanai

Tiklīdz koristuvačovs nav standarta atmiņas observatorija, varat mēģināt paplašināt iespējas informācijas un informācijas uzglabāšanas jomā. Tse zd_ysnyuєtsya par rakhunok vikoristannya modernās tehnoloģijas Tie ir ieviesti USB diskos un atmiņas kartēs. Šīs tehnoloģijas ir balstītas uz bagatorazovy vikorystannya principu. Vienkārši sakot, informāciju par šādiem deguniem var pārrakstīt un pierakstīt vēlreiz. Operāciju var veikt desmitiem un simtiem tūkstošu reižu.

Ko uzglabāt ROM

ROM noliktavai ir divas daļas, kas nozīmē gan ROM-A, gan ROM-E. ROM-A vikoristovuєtsya programmu atlasei un ROM-E programmu vizualizācijai. ROM tips A ir diodes-transformatora matrica, kuru var sašūt aiz papildu adreses vadiem. Danijs rozdils ROM ir galvenā funkcija. Pildījums tiks nogulsnēts materiālā, kas ir vikoristovuvavsya, kad tiek sagatavots ROM. Visam var izmantot magnētiskās svītras, magnētiskos diskus, perfokartes, bungas, ferīta uzgaļus, dielektriķus no elektrostatisko lādiņu uzkrāšanās spēka.

ROM: shematiska budova

Dānija ob'єkt elektronika aicina tikt parādīta viglyadi piebūvē, scho nagadu deyakoi kіlkostі odnorryryadkіv. Neatkarīgi no potenciāla, ROM mikroshēmas locīšana ir pārāk maza izmēram. Kad dziesmas informācija tiek saglabāta, informācija tiek saglabāta korpusā (rakstiet nulli), vai pirms dzherel live (rakstiet vienu). Lai palielinātu alternatīvās atmiņas apjomu, pastāvīgās atmiņas pielikumos shēmas var savienot paralēli. Tas ir tas pats, ka virobņikiem ir lietderīgi noraidīt produktu. Adzhe ar Viktorijas ROM ar augstu tehniskajiem parametriem prist_y būs konkurētspējīgs tirgū.

Obsyag pam'yati, kā kļūt par uzvarētāju vecajos tehnoloģiju odinītos

Daudz atmiņas var atrast ROM tipā un apzīmējumā. Tukšgaitā pagaidīšanas tehnoloģija ledusskapis abo veļas mašīnas Būs uzstādīti daudz mikrokontrolleru. Visticamāk, ka tas ir salokāmāks, lai iekļūtu mīklās. Nemaє senseu vikoristovuvati šeit ir liels obsyag ROM. Uzpildāmās elektronikas skaits ir neliels. Līdz tam nav nepieciešams saliekams aprēķins. Dažiem TV ekrāniem tas var būt vēl salokāmāks. ROM shēmu salokāmības virsotne є aprēķina tehnoloģija zrazok serveris personālajiem datoriem... Šādi tehniskie ROM satur informāciju no decilkoh gigabaitiem līdz simtiem terabaitu.

maskas ROM

Ja ieraksts ir labs, ja notiek ierakstīšana papildu metalizācijas procesam un tiek veikta maska, tad ROM tiks saukts arī par masku. Viņiem desmit dienas ir adreses atmiņas vidū. Papildu īpašam signālam CS tiek vibrēta noteikta mikroshēma. Šāda veida ROM ir ieprogrammēts rūpnīcās. Nav parocīgi un neiedomājami, ka var tos lasīt pa vidu un parastā kursā. Tomēr ar liela mēroga versiju šādi pielikumi būs vislētākie no ROM.

Cena ir kļuvusi populāra dotais tips pielikumus No shēmas viedokļa šādi ROM tiek parādīti kā mugurkauls, kas atmiņas matricā tiek aizstāts ar kodolsintēzes džemperiem, kas ir sagatavoti no polikristāliskā silīcija. Virobnitstva stadijā ir iestatītas visas pārejas. Dators ir svarīgs, bet loģiskie koeficienti tiek pierakstīti visur. Taču pirms sagatavošanās programmas stundas tiks izsniegts avanss.

Lai palīdzētu jaunam, man jāizmanto loģiskie koeficienti. Džemperi, barojot zemās atsperes, tiek iztvaicēti. Dators vvazhaє, tur ir rakstīta loģiska nulle. Tas pats princips ir uzvarošs pielikumu pastāvīgās atmiņas programmēšanā. Programmētais PZP vai EEPROM šķita pabeigts manuāli no tehnoloģiskās sagatavošanas viedokļa. Pirms tiem jūs varat iedziļināties vidējās un vidējās klases virobability. Tomēr cičiem ir savi pielikumi. Programmu var ierakstīt tikai vienu reizi, kad pāreja ir jāiztvaiko.

Caur nelaipnību atkārtoti vikoristovuvati ROM. Pēc piedošanas es uzrakstīšu yogo uz Wikidati. Tā rezultātā pieaug visu vīrusu iekārtu paritāte. Caur vīrusa cikla nepabeigtību. Ņemot vērā problēmu lai pabeigtu dovgo aizņēmās rozes. Yak vikhid no dotās situācijas bulo virisheno razrobit ROM, kā tas ir iespējams bagatorazovati programuvati.

ROM ar elektriskiem un ultravioletajiem dzēsumiem

Šādi pielikumi ir veidoti uz atmiņas matricas bāzes, atmiņas vidū tie veido īpašu struktūru. Apvalks šeit ir pusceļā є MOS tranzistors, vārti vikonijā ar polikristālisko silīciju. Chimos nagaduє nākamā iespēja. Šo ROM īpatnība ir tāda, ka šī konkrētā veida silīciju var izmantot kā dielektrisku, kas ir volodya ar izolācijas spējām. Dielektriķa kvalitātē silīcija dioksīds ir ļauns.

Šeit darba princips ir balstīts uz indukcijas lādiņa gudrību. Pastāv desmitiem akmeņu. Šeit є deyakі specialitātes і dzēšana. Tātad, piemēram, ultravioleto ROM ir nepieciešams pielikums, lai izmantotu UV apmaiņu, piemēram, no ultravioletās lampas. Acīmredzot, no ROM dizaina darbības efektivitātes viedokļa ar elektrisko dzēšanu, tas būs optimālais variants. Šajā vipadku aktivizācijai tikai jādod ziedojums. Šāds veiksmīgu implementāciju elektriskās dzēšanas princips šādos pielikumos ir kā zibatmiņas akumulatori. Tomēr šāda ROM shēma ir strukturāli neadekvāta, lai to uzskatītu par īpašu maskētu ROM ieslēgšanai un izslēgšanai.

Šādus pielikumus sauc par pārprogrammētiem. Tomēr ar visiem šāda veida fragmentiem informācija vairs netiek dzēsta. Zvychay, šīs operācijas veikšanai ir nepieciešamas 10 līdz 30 minūtes. Neiesaistoties pārrakstīšanas iespēja, pie pārprogrammētajiem pielikumiem є maināmi uz Viktorijas. Elektronika ar UV dzēsumiem var izturēt no 10 līdz 100 pārrakstīšanas cikliem. Making plūsmas ultravioleto vypromynuvannya kļūs tik viscerāls, ka tas pārtrauks funkciju.

Šādus elementus var izmantot, lai saglabātu BIOS programmas video un skaņas kartes papildu portiem. Runājot par pārrakstīšanas iespēju, elektriskās dzēšanas princips būs optimāls. Pārrakstījumu skaits šādos pielikumos kļūst no 100 līdz 500 tūkstošiem. Protams, jūs varat zināt pielikumus, kas var būt efektīvāki un vairāk, taču visparastākajiem šāda veida cilvēkiem nav ne mazākās nojausmas par šādām pārdabiskām iespējām.

Svarīgi muižniecībai atšķirība starp RAM un ROM. Tiklīdz esat gudrs, varat uzlabot savu redzi kā lielisks dators. RAM і ROM, jak різні tipi zapam'yatovuyh pielikumus, un aizvainojuma smaka paņem datus datorā. Statistikas beigās mēs pastāstīsim par abu galvenajām iezīmēm divos veidos, kā arī pašu RAM un ROM.

Brīvpiekļuves atmiņa (RAM)

Operatīvā atmiņa ir atmiņas veids, jo tas ļauj saglabāt piekļuvi pagātnes cieņas saglabāšanai un jebkurai atmiņas fiziskai izaugsmei. RAM var lasīt un rakstīt ar jauniem datiem. Galvenā operatīvās atmiņas nodošana ir tiem, kuri aizņemas vienu un to pašu stundu, lai piekļūtu jauniem datumiem, uzreiz no zināšanu dienas. Ķēdē RAM kā ātru atmiņu. Tikpat ātri datori spēj nolasīt no atmiņas, kā arī smirdoņa tikpat ātri var ierakstīt jaunus datus operatīvajā atmiņā.

Jaku RAM viglyadє?

Tirdzniecībā pieejamās speciālās atmiņas mikroshēmas var viegli savienot ar datora mātesplati un no tās. Uzbrūkošajam mazajam tiek parādīta čipu atmiņa.

Pastāvīgā atmiņas bloķēšana (ROM)

Yak viplivay vārds, danі tiks ierakstīts ROM tikai vienu reizi un katru reizi. Rakstot, tos var lasīt tikai papildu datoram. Tikai atmiņas lasīšanai bieži uzvar, lai datorā instalētu pēcinstalēšanas instrukcijas. Instrukcijas cena nemainās. Chipi ROM zberigati pamata ievadīšanas / piegādes sistēma(BIOS) datorā. Par aizskarošu mazo rādījumu daļu ROM BIOS ir komerciāli pieejama.

Atšķirība starp RAM un ROM

Galvenajās tabulās ir parādīta galvenā informācija par ar pietiekamu piekļuviі tikai priekš lasīšanas atmiņa.

RAM un ROM datorsistēmas... Vai vēlaties cēlumu, ja disks darbojas un ja RAM ir grupā? Ja pārslēdzaties uz datoru, varat ieslēgt melno ekrānu ar daudz teksta. Tsey teksts no ROM. Instrukcijas ROM datora vadībai pirmajās sekundēs, ja to ieslēdzat. U tsei periods, jaku instrukcijas " , jaks chitati z cietais disks", "Jak drukuvati uz ekrāniem" zavanazhivayutsya no ROM. Turklāt kā dators tā ir ēkas darbība un pamatdarbības, operētājsistēma(Windows / Linux / OSX utt.), lai lasītu no cietā diska un tiktu bloķēta RAM. Nākamajā videoklipā es iepriekš izskaidrošu RAM, salīdzinot ar ROM jēdzienu.

Atverot programmu, tāpat kā Microsoft Word, programma tiek bloķēta no datora cietā diska operatīvajā atmiņā.

Rezultātā raksts palīdzēja jums redzēt galveno informāciju par RAM un ROM. Kamēr tev ir kāds ēdiens, piesiets kādai kopējai tēmai, esi zebiekste, nedusmojies jautāt komentāru sadaļā. Mēs centīsimies jums palīdzēt. Dyakuєmo jums par TechWelkin viktorīnu!

Personālos datorus var izmantot šādiem nolūkiem:

mikroprocesora atmiņa;

galvenā atmiņa;

kešatmiņas restrov;

zvanu atmiņa.

Ir redzama mikroprocesora atmiņa. Galvenā atmiņa ir paredzēta informācijas glabāšanai un operatīvai apmaiņai no datora pielikumiem. Atmiņas funkcijas:

informācijas saņemšana no saimniecības ēkām;

informācijas iegaumēšana;

informācijas parādīšana par strāvas padevi iekārtas papildierīcē.

Galvenā atmiņa ir atriebties par divu veidu atmiņas pielikumiem:

ROM - pastāvīgi zapam'yatovoy prist_y;

RAM - operatīvi zapamyatovoy pristіy.

ROM ir paredzēts pēcprogrammatiskas un jau esošas informācijas apkopošanai. Dati ROM jāievada, kad tie ir gatavi. Informācija, ko var glabāt ROM, var būt tikai zchituvati, bet ne zmіnyuvati.

ROM ir:

programma procesora robota vadīšanai;

programma datora palaišanai;

programmas pielikumu testēšanai, kas maina robotu bloku pareizību, kad dators ir ieslēgts ādai;

Displeju, tastatūras, printera, atmiņas vadības programmas;

Informācija par tiem, kuru diskā ir operētājsistēma.

ROM ir no enerģijas neatkarīga atmiņa, kad informācija ir ieslēgta, tā tiks saglabāta jaunā veidā.

OZP indikācijas informācijas (programmu un datu) operatīvai ierakstīšanai, izguvei un nolasīšanai, a priori nepiedaloties informācijas skaitļošanas procesā, kā arī tiek rādītas datorā pašreizējā stundas laikā.

Pēc operatīvās atmiņas galvenajām pārejām є ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї і ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї і ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї līdz ї uz ādas telpu atmiņas atmiņas okremo (tiešā adreses piekļuve atmiņai). Visas atmiņas vienības tiek savāktas grupās pa 8 baitiem (1 baits), šādai grupai ir adrese, kurai iespējams apgriezties.

RAM ir enerģijas uzglabāšanas atmiņa, kad tā ir iespējota, informācija tiks izdzēsta.

Mūsdienu datoriem atmiņas apjomam jābūt 8-128 MB. Atmiņas pienākums - svarīga īpašība datora, tas tiek ievadīts robotikas ātrumā un programmas efektivitātē.

Papildus ROM un RAM sistēmas plates CMOS atmiņa nav pieejama, tā tiks pastāvīgi saglabāta no akumulatora. Viņiem ir datora konfigurācijas parametri, kas tiek pārkonfigurēti, kad skin sistēma tiek izslēgta. Tse daļēji pastāvīgā atmiņa. Lai mainītu datora konfigurācijas parametrus BIOS, ir programma datora konfigurācijas iestatīšanai - SETUP.

Ātrākai piekļuvei operatīvajai atmiņai tiek izmantota speciāla pieskaitāmā kešatmiņa un mikroprocesors. operatīvā atmiņa Tajos ir visbiežāk uzvarošo operatīvās atmiņas failu kopijas. Reģistra kases atmiņa koristuvach nav pieejama.

Kešatmiņā tiek ņemti dati, jo mikroprocesors varēs uzņemt un uzvarēt sava robota labākajā taktikā. Ātra piekļuve līdz tsikh danih, jūs ļausiet stundai pāriet uz Čergova komandu, programmu apmeklējuma stundu.

Mikroprocesors, remontējot no MP 80486, var mainīt tā kešatmiņu. Mikroprocesori Pentium un Rentium Pro var saglabāt kešatmiņu okremos, lai sniegtu cieņu, un okremos komandām. Visiem mikroprocesoriem varat vikoristovuvatya papildu kešatmiņu, mātes alga mikroprocesora pozīcija, kuras diapazons var sasniegt decilkoh MB. Atmiņas nosaukums tiek izmantots jaunākajiem datora pielikumiem un iepriekš sagatavotai informācijas apkopošanai, kā tas var būt zināms jaunajai ēkai. No rīta visas datora programmas tiek saglabātas pēdējā atmiņā.

Pagātnes atmiņu pielikumi ir atsegumi, un atmiņas atmiņa ir vēl svarīgāka. Їх var klasificēt pēc nodiluma veida, pēc konstrukcijas veida, pēc informācijas ierakstīšanas un nolasīšanas principa, pēc piekļuves metodes utt.

Naybіlsh paplašinātās saimniecības ēkas, kuras neatcerēsies є:

uzkrāties uz cietajiem magnētiskajiem diskiem (HDD);

uzkrāties uz blāviem magnētiskajiem diskiem (NGMD);

uzkrāties tālāk optiskie diski(CD ROM).

Agrāk personālā datora pēdējās atmiņas pielikumu ietilpībā, kas pievienojami kasešu magnētiskās lentes atmiņai - straumētājiem.

Uzkrāt uz diskiem - kā pielikumu lasīšanai un ierakstīšanai no magnētiskajiem vai optiskajiem nesējiem. Uzkrājumu skaita noteikšana ir lielu informācijas atskaišu iegūšana, informācijas reģistrēšana un piegāde, lai jūs varētu izmantot barošanas avotu darbības režīmā.

HDD un NGMD ir izstrādāti tikai konstruktīvi, ar informācijas palīdzību, lai varētu kādu stundu pajokot un pierakstīt šo informāciju.

Magnētiskos materiālus kā magnētisko disku vidus atmiņu var izmantot īpašas iestādes, lai tie ļautu fiksēt divas magnētiskās nometnes - divas taisnas magnetizācijas līnijas. Ādai tas tiek novietots pie skaitļu 0 un 1 displeja. Magnētiskajos diskos informāciju ieraksta un nolasa koncentrisko tiltu - sliežu ceļu magnētiskās galvas. Diska disku skaits un informācija Iespējams nolikt pēc diska veida, atmiņas ierīces konstrukcijas, magnētisko galviņu un magnētiskās spoles kvalitātes. Ādas durvis ir sadalītas sektorā. Vienā sektorā var piešķirt 512 baitus datu. Datu apmaiņa starp tām tiek uzkrāta magnētiskajā diskā un operatīvā atmiņa pietiks tik daudz sektoru. Cietajam magnētiskajam diskam ir jāprot saprast arī cilindru - celiņu pāri, kas atrodas tajā pašā vietā virzienā uz diska centru.

Diskus var izmantot tiešai piekļuvei mašīnas informācijas nesējiem. Tas nozīmē, ka datoru var pagriezt uz ceļa, lai to varētu salabot no shukanoy informācijas vai kur ir nepieciešams pierakstīt jaunu informāciju, bez vidējā, pat ja galva nav zināms, lai pierakstītu lasīšana.

Visiem diskiem - magnētiskajiem un optiskajiem - ir raksturīgs savs diametrs (formas koeficients). Trīs blāvi magnētiskie diski no visvairāk paplašinātajiem tika piepildīti ar diskiem ar diametru 3,5 (89 mm). Disku skaits kļūst 1,2 un 1,44 MB.

Nakopichuvachi uz cietajiem magnētiskajiem diskiem sauca par "Winchester". Tsei termins vinik no slenga nosauc pirmo cietā diska modeli, ir 30 ceļi pa 30 ādas sektoriem, kas tiek zaudēti ar Mislivska rushnitsa “Winchester” kalibru. Cietā diska atmiņa tiek saglabāta MB un GB.

Pēc stundas parādījās jauna krātuve magnētiskajos diskos - ZIP-disk - portatīvie pielikumi ar 230-280 MB atmiņu.

Pārējās visplašākās izplatīšanas raķetēs viņi sāka ietaupīt uz optiskajiem diskiem (CD-ROM). Arvien populārāki kļūst mazu auguma, liela spēka un cerības un uzkrāšanas selekcionāri. Akumulatoru skaits optiskajos diskos ir 640 MB un vairāk.

Optiskos diskus var izmantot nepārrakstāmiem lāzeroptiskajiem diskiem, lāzeroptisko disku pārrakstīšanai un magnētisko optisko disku pārrakstīšanai. Nepārrakstāmus diskus piegādā virobnik uzņēmumi ar tajos jau ierakstīto informāciju. Ierakstīt informāciju uz tiem var tikai laboratorijas prātos, datora pozā.

Neatkarīgi no galvenajām īpašībām - informācijas ietilpības, disku akumulatorus raksturo divu stundu indikatori:

stundu piekļuve;

shvidk_styu rādījumi pēc roztastovanih baitiem.